Toshibalta 32 nm:n NAND-flash-piirejä syksyllä

Toshiban on esitellyt INEC-messuilla (International Nanotechnology Exhibition & Conference) 300 millimetrin piikiekolle 32 nanometrin prosessilla valotettuja 32-gigabitin (neljän gigatavun) NAND-flash-muistipiirejä. Piirit valmistetaan teknologialla, jossa solut ovat kolmibittisiä, mikä mahdollistaa aiempaan verrattuna huomattavan paljon suuremman datamäärän samalla pinta-alalla. Toshiban mukaan yritys ei ole joutunut tekemään merkittäviä muutoksia 43 nanometrin prosessiin nähden ja aloittaa 32 nanometrin piirien massatuotannot syyskuussa.

Toshiba on samalla maininnut pyrkivänsä valmistamaan muistipiirejä 20-30 nanometrin prosessilla joko vuoden 2010 lopulla tai viimeistään vuoden 2011 puolella. Aikataulutus on riippuvainen kelluvan hilan rakenteesta ja voidaanko sitä käyttää jatkossa, vai joutuuko Toshiba turvautumaan kehittyneempään ratkaisuun.

Electronista, Toshiba to ship 32nm NAND Flash in fall, 2Xnm by ’11