Uusia RAM-tekniikoita
Toshiba ja NEC ovat julkaisseet kaksi uutta RAM-tekniikkaa, FeRAM:n ja edelleenkehitetyn MRAM:n. Näistä MRAM:ia (Magnetoresistive Random Access Memory) on jatkokehitetty rutkasti, sillä muistityypin heikkous on ollut alhainen kirjoitusnopeus. Kehitystyön ansiosta MRAM-piirien koko on kasvanut maksimissaan 16 megabittiin ja kirjoitus- ja lukunopeus 200 megatavuun sekunnissa. 34 nanosekunnin jaksonajan muistit toimivat 1,8 voltin käyttöjännitteellä.
MRAM:n vahvuus yleisempiin DRAM- ja SRAM-tekniikoihin on jälkimmäisten muistityyppien vaatima sähkövaraus, jotta bitit saadaan pysymään paikoillaan ja tieto tallessa. Tästä syystä MRAM vaatii ainoastaan murto-osan tehoa DRAM:iin ja SRAM:iin verrattuna, mistä on hyötyä varsinkin mobiililaitteissa.
FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) on samantyyppinen tekniikka kuin MRAM, mutta tämän etuna on suurempi muistikapasiteetti: 64 megabittiä yhdellä piirillä 130 nanometrin prosessilla. FeRAM vaatii samalla huomattavasti enemmän tehoa ja tuo MRAM- ja DRAM-tekniikoiden hyviä puolia yhteen. Magneettikentistä poiketen FeRAM säilyttää rautapitoisten kerrosten polaarisuuden sähkövarauksella.
