ARM ja TSMC esittelivät 10 nanometrin FinFET-prosessilla valmistetun Artemis-järjestelmäpiirin
ARM on ilmoittanut saaneensa valmiiksi ensimmäisen Artemis-testipiirin. Uudet testipiirit on valmistettu TSMC:n tulevalla 10 nanometrin FinFET-valmistusprosessilla. ARM:n ja TSMC:n mukaan ensimmäiset 10 nanometrin Artemis-piirit saatiin tapeout-vaiheeseen viime joulukuussa, ja tehtaalta valmiit piirit pääsevät ulos hetkenä minä hyvänsä.
Testipiiri on monella tapaa tärkeä sekä ARM:lle että TSMC:lle. Se on ensimmäinen monimutkainen piiri, jota valmistetaan tulevalla 10 nanometrin valmistusprosessilla, ja siten elintärkeä prosessin hienosäädölle ennen massatuotantoa. Testipiirissä on yksi neljän Artemis-prosessoriytimen yksikkö, Mali-grafiikkaohjain, sekä kaikki muut järjestelmäpiirille oleelliset osat.
TSMC:n 10 nanometrin FinFET-valmistusprosessin kerrotaan kykenevän parhaimmillaan 2,1 kertaiseen tiheyteen nykyiseen 16 nanometrin FinFET-prosessiin verrattuna, ja joko 11 – 12 % parempaan suorituskykyyn samalla nimellisjännitteellä, tai 30 % pienempään tehonkulutukseen samalla kellotaajuudella. Matkaa lupauksiin on vielä, sillä Artemis-testipiiri jää jonkin verran 16 nanometrin prosessilla valmistetun Cortex-A72-järjestelmäpiirin kellotaajuuksista, mutta tästä huolimatta se on kyennyt noin puolittamaan järjestelmäpiirin tehonkulutuksen. 10 nanometrin prosessin parantuessa kellotaajuuksien uskotaan nousevan korkeammalle kuin 16 nanometrin prosessilla valmistettujen piirien kanssa. ARM arvioi, että Artemis-prosessoriytimet itsessään voisivat käyttää korkeampia kellotaajuuksia kuin Cortex-A72:t, jos ne valmistettaisiin samalla valmistusprosessilla. Voit lukea lisää asiasta esimerkiksi AnandTechin artikkelista.
