Samsungilta nopea 256 gigatavun UFS 2.0 -muisti mobiililaitteisiin
Samsung on esitellyt uuden UFS 2.0 -tekniikkaan (Universal Flash Storage) perustuvan mobiililaitteisiin suunnatun yhden piirin tallennusratkaisun, jonka koko on kasvatettu ensimmäistä kertaa 256 gigatavuun. Samsungin mukaan suurin syy uuden entistä suuremman tallennuskapasiteettivaihtoehdon lanseeraamiseen liittyy 4K-materiaalin taltioimiseen ja toistamiseen suurinäyttöisillä high-end-laitteilla.
Samsungin uusi 3D V-NAND -muistipiiritekniikkaan pohjautuva UFS 2.0 -tallennusratkaisu kykenee 850 Mt/s peräkkäisluku- ja 250 Mt/s peräkkäiskirjoitusnopeuteen sekä 45 000 satunnaiskirjoitus- ja 40 000 satunnaislukuoperaatioon sekunnissa. UFS 2.0 -standardia hyödyntävä muisti on nopeampaa ja vähävirtaisempaa kuin yleisesti käytetty eMMC-pohjainen tallennusratkaisu. UFS 2.0 tukee mm. kaksikanavaista tiedonsiirtoa ja sen avulla muistiin pystytään tekemään samanaikaisesti sekä luku- että kirjoitusoperaatioita.
Toistaiseksi asiasta ei ole virallista tietoa, mutta yksi hyvin mahdollinen käyttökohde uudelle suurikokoiselle UFS 2.0 -muistille on Samsungin seuraavan sukupolven Galaxy Note -puhelin, joka julkaistaan tällä tietoa alkusyksystä. Samsung julkisti ensimmäisen sukupolven 128 Gt:n UFS-muistit viime vuoden helmikuussa ja ne nähtiin ensimmäistä kertaa kuluttajatuotteissa Galaxy S6 -puhelinten yhteydessä.
