UUSIMMAT

Samsungilta nopea 256 gigatavun UFS 2.0 -muisti mobiililaitteisiin

26.02.2016 08:29 | Juha Kokkonen | 11

256GB UFS 2.0

Samsung on esitellyt uuden UFS 2.0 -tekniikkaan (Universal Flash Storage) perustuvan mobiililaitteisiin suunnatun yhden piirin tallennusratkaisun, jonka koko on kasvatettu ensimmäistä kertaa 256 gigatavuun. Samsungin mukaan suurin syy uuden entistä suuremman tallennuskapasiteettivaihtoehdon lanseeraamiseen liittyy 4K-materiaalin taltioimiseen ja toistamiseen suurinäyttöisillä high-end-laitteilla.

Samsungin uusi 3D V-NAND -muistipiiritekniikkaan pohjautuva UFS 2.0 -tallennusratkaisu kykenee 850 Mt/s peräkkäisluku- ja 250 Mt/s peräkkäiskirjoitusnopeuteen sekä 45 000 satunnaiskirjoitus- ja 40 000 satunnaislukuoperaatioon sekunnissa. UFS 2.0 -standardia hyödyntävä muisti on nopeampaa ja vähävirtaisempaa kuin yleisesti käytetty eMMC-pohjainen tallennusratkaisu. UFS 2.0 tukee mm. kaksikanavaista tiedonsiirtoa ja sen avulla muistiin pystytään tekemään samanaikaisesti sekä luku- että kirjoitusoperaatioita.

Toistaiseksi asiasta ei ole virallista tietoa, mutta yksi hyvin mahdollinen käyttökohde uudelle suurikokoiselle UFS 2.0 -muistille on Samsungin seuraavan sukupolven Galaxy Note -puhelin, joka julkaistaan tällä tietoa alkusyksystä. Samsung julkisti ensimmäisen sukupolven 128 Gt:n UFS-muistit viime vuoden helmikuussa ja ne nähtiin ensimmäistä kertaa kuluttajatuotteissa Galaxy S6 -puhelinten yhteydessä.

Samsungin julkaisutiedote

Keskustelu

"Samsungilta nopea 256 gigatavun UFS 2.0 -muistipiiri"

"Uusi 256 megatavun piiri kykenee 850 Mt/s peräkkäisluku- ja 250 Mt/s peräkkäiskirjoitusnopeuteen "

arieli

"Samsungilta nopea 256 gigatavun UFS 2.0 -muistipiiri"

"Uusi 256 megatavun piiri kykenee 850 Mt/s peräkkäisluku- ja 250 Mt/s peräkkäiskirjoitusnopeuteen "

Korjattu.

Muron toimittaja on aikaisemmin perustellut lyhenteiden selittelemättömyyttä sillä että ne on yleisesti tiedossa no tämä UFS ei ole yleisesti tiedossa ja Universal Flash Storage ei kerro sen enempää siitä millainen liitäntä ja/tai muistipiiri on kysessä miten se eroaa esim. paremmin tunnetusta TLC muistipiiristä mitä tulee eMMC tyyppiin niin eikö se käytä Sata singnalointia (jos en väärin muista) niin miten tämä UFS on parempi kuin Sata, kysymyksiä piisaa lisääkin.

Niin ja oliko muistipiirin koko tavuja vai bittejä kun tässä tapauksessa olisi todennäköisempää että alkuperäinen Samsungin lähde olisi puhunut biteistä ei tavuista kun kyseessä on yksittäinenn muistipiiri.

IcePen

Muron toimittaja on aikaisemmin perustellut lyhenteiden selittelemättömyyttä sillä että ne on yleisesti tiedossa no tämä UFS ei ole yleisesti tiedossa ja Universal Flash Storage ei kerro sen enempää siitä millainen liitäntä ja/tai muistipiiri on kysessä miten se eroaa esim. paremmin tunnetusta TLC muistipiiristä mitä tulee eMMC tyyppiin niin eikö se käytä Sata singnalointia (jos en väärin muista) niin miten tämä UFS on parempi kuin Sata, kysymyksiä piisaa lisääkin.

Niin ja oliko muistipiirin koko tavuja vai bittejä kun tässä tapauksessa olisi todennäköisempää että alkuperäinen Samsungin lähde olisi puhunut biteistä ei tavuista kun kyseessä on yksittäinenn muistipiiri.

Lyhenteiden selittämisellä olen ainakin itse tarkoittanut niiden avaamista, joka tässäkin uutisessa on tehty (sulkeissa lyhenteen perässä). Yksinkertaistettuna UFS:n toiminnasta laitteessa on tehty vähemmän "muistikorttimaista" ja kuten uutisessakin sanotaan, UFS 2.0 -muistiin kykenee tekemään samanaikaisesti sekä luku- että kirjoitusoperaatioita. Itsekään en ole perehtynyt UFS:n sielunelämään kovin syvällisesti, mutta Google kertoo varmasti lisää, jos siihen liittyen kiinnostus heräsi.

Piirin koko on tavuja, kuten Samsung lehdistötiedotteessaankin erikseen korostaa ("256-gigabyte (GB)"), koska piiri on tarkoitettu mobiililaitteisiin, joissa ei yleensä rajallisen tilan vuoksi käytetä kuin yhtä muistipiiriä.

Tuolta löytyy ainakin vähän lisätietoa: http://www.anandtech.com/show/9146/the-samsung-galaxy-s6-and-s6-edge-review/7

No nyt on kirjoitusnopeudet kunnossa! Tuolla mainitulla 250 Mt/s nopeudellahan voisi helposti tallentaa muistikortille vaikka pakkaamatonta 1080p-videokuvaa @ 30 Hz.

Olisi kyllä hienoa jos erilaisiin kannettaviin laitteisiin tulisi mahdollisuus kuvata pakkaamatonta videota, vaikka sitten jollain alhaisemmalla resoluutiolla, kuten 640×480. Uskaltaisin väittää, että jopa tuollaisella resoluutiolla kuvattu pakkaamaton video on visuaalisesti laadukkaampaa kuin reaaliajassa pakattu fullHD-kuva, mikäli kuvassa on paljon nopeaa ja epäsäännöllistä liikettä. (Toki pakatun kuvan laatu riippuu käytettävissä olevasta bittivirrasta, mutta tästä huolimatta en usko reaaliajassa pakatun kuvan koskaan yltävän pakkaamattoman kuvan laatuun, vaikka bittivirta saisi kohota miten korkeaksi tahansa.)

Juha Kokkonen

Lyhenteiden selittämisellä olen ainakin itse tarkoittanut niiden avaamista, joka tässäkin uutisessa on tehty (sulkeissa lyhenteen perässä). Yksinkertaistettuna UFS:n toiminnasta laitteessa on tehty vähemmän "muistikorttimaista" ja kuten uutisessakin sanotaan, UFS 2.0 -muistiin kykenee tekemään samanaikaisesti sekä luku- että kirjoitusoperaatioita. Itsekään en ole perehtynyt UFS:n sielunelämään kovin syvällisesti, mutta Google kertoo varmasti lisää, jos siihen liittyen kiinnostus heräsi.

Piirin koko on tavuja, kuten Samsung lehdistötiedotteessaankin erikseen korostaa ("256-gigabyte (GB)"), koska piiri on tarkoitettu mobiililaitteisiin, joissa ei yleensä rajallisen tilan vuoksi käytetä kuin yhtä muistipiiriä.

Tuolta löytyy ainakin vähän lisätietoa: http://www.anandtech.com/show/9146/the-samsung-galaxy-s6-and-s6-edge-review/7

Kun toimittaja kieltäytyi selvittämästä mikä UFS 2.0 on niin tarkistin itse.

Tämä otsikko on vale

Samsungilta nopea 256 gigatavun UFS 2.0 -muistipiiri

UFS 2.0 ei ole muistipiiri tekniikka, UFS 2.0 on mustiväylä tekniikka, se mikä muistipiiri sen väylänperässä on on täysin toissijaista.

Muropaketin uutisointi on todella hyvällä tasolla kun tahallisia virheitä kieltäydytään ollenkaan tunnustamasta.

PS UFS 2.0 ei ole tarkoitettu pelkästään kiinteästi asennettavien muistipiirien käyttöön se tulee korvaamaan myös SD(xx) väylään perustuvat muistikortit (myöskään SD ei ole muistipiiri stantardi).

IcePen

Kun toimittaja kieltäytyi selvittämästä mikä UFS 2.0 on niin tarkistin itse.

Tämä otsikko on vale

UFS 2.0 ei ole muistipiiri tekniikka, UFS 2.0 on mustiväylä tekniikka, se mikä muistipiiri sen väylänperässä on on täysin toissijaista.

Muropaketin uutisointi on todella hyvällä tasolla kun tahallisia virheitä kieltäydytään ollenkaan tunnustamasta.

Koitappas nyt vähän rauhoittua :) En kyllä mielestäni kieltäytynyt mistään, vaan avasinkin jopa asiaa hieman tuossa edellisessä viestissäni ja laitoin myös linkin aiheesta kertovaan asiantuntevaan Anandtechin juttuun. Nyt myös korjasin uutista selkeämpään muotoon.

Tämä Samsungin uusi 256 Gt muisti on suunniteltu käytettäväksi varta vasten UFS 2.0 -tekniikan kanssa, joten kyseessä ei siis ole mikään yleismallinen flash-muistipiiri. Vaikka UFS ei siis ole muistipiiritekniikka, voi julkaistua piiriä kutsua UFS-muistiksi, koska siihen käyttöön se on tarkoitettu. Myös Samsung käyttää tiedotteessaan "UFS memory chips" -termiä.

Valeen kanssa otsikolla ei ole mitään tekemistä, siihen nyt vain oli enimmilläänkin päässyt virheellinen sanamuoto/termi, jonka olen jo korjannut parempaan muotoon. Minulla ei ole mitään ongelmaa myöntää virheitäni – jatkuvasti tulee eteen uusia asioita ja monestakin asiasta on vielä paljon opittavaa.

Myös nuo kirjoitus- ja lukunopeudet voi olla Samsungin taholta enempi tai vähempi tahallista harhautusta kun tuntuu vähän epäilyttävältävältä että itse se muistipiiri pystyisi noihin nopeuksiin, kun vastaavat nopeudet Flash muisteilla toteutetaan yleensä käyttämällä useampaa muistipiiriä rinnan, siksi epäilenkin että kyseessä on sen tuolla muistipiirillä olevan Samsungin UFS 2.0 muistiohjaimen ominaisuudet ja mihin se pystyy kun muussatapauksessa Samsung olisi noin tuplannut nuo muistipiirin luku- ja kirjoitusnopeudet entisestä mikä tuntuu hiukan kaukaahaetulta.

Sinällään Samsung on saavuttanut tiedotteella haluamansa se on saanut näkyvyyttä melkein kaikilla vähänkään sähkölaitteisiin liittyvillä sivuilla joita olen katsonut.

IcePen

Myös nuo kirjoitus- ja lukunopeudet voi olla Samsungin taholta enempi tai vähempi tahallista harhautusta kun tuntuu vähän epäilyttävältävältä että itse se muistipiiri pystyisi noihin nopeuksiin, kun vastaavat nopeudet Flash muisteilla toteutetaan yleensä käyttämällä useampaa muistipiiriä rinnan, siksi epäilenkin että kyseessä on sen tuolla muistipiirillä olevan Samsungin UFS 2.0 muistiohjaimen ominaisuudet ja mihin se pystyy kun muussatapauksessa Samsung olisi noin tuplannut nuo muistipiirin luku- ja kirjoitusnopeudet entisestä mikä tuntuu hiukan kaukaahaetultain

Mitä epäilyttävää siinä on?

Ainoa asia mikä rajoittaa yhden muistipiirin kaistaa verrattuna moneen rinnakkaiseen piiriin on se rajapinta/ulkoinen liitäntä.

Aina pystytään tekemään yksi piiri, joka sisältää kaiken sen saman mitä kaksi erillistä piiriä sisältäisi, kunhan vaan piiristä tehdään kaksi kertaa isompi ja se isompi piiri saadaan valmistettua.

Kun käytössä on uusi nopeampi rajapinta ei rajapintakaan ole pullonkaula.

hkultala

Mitä epäilyttävää siinä on?

Ainoa asia mikä rajoittaa yhden muistipiirin kaistaa verrattuna moneen rinnakkaiseen piiriin on se rajapinta/ulkoinen liitäntä.

Aina pystytään tekemään yksi piiri, joka sisältää kaiken sen saman mitä kaksi erillistä piiriä sisältäisi, kunhan vaan piiristä tehdään kaksi kertaa isompi ja se isompi piiri saadaan valmistettua.

Kun käytössä on uusi nopeampi rajapinta ei rajapintakaan ole pullonkaula.

Ok eli siinä menin metsään, mutta olinko aikaisemmin tuon USF 2.0:n osalta oikeassa että se on yleiskäyttöinen väylä erilaisille massamuistitoteutuksille juotettaville/liitettäville(eMMC)/vaihdettaville(SD yms) ja se on tarkoitettu käytettäväksi ensisijaisesti Flash pohjaisten muistipiirien kanssa mutta ei sulje pois muitakaan muistityyppejä.

Muropaketin uusimmat