500 GHz:n transistori
IBM:n ja Georgian teknillisen korkeakoulun tutkijat ovat yhdessä kehittäneet 500 gigahertsin kellotaajuudella toimivan transistorin. Saavutus on luokassaan maailmanennätys ja pii-germanium-kiekolle (SiGe) valotettu transistori oli huoneenlämmössä toiminut noin 350 gigahertsin kellotaajuudella. Ennätys saavutettiin 4,5 Kelvinin lämpötilassa, joka on siis ainoastaan hieman absoluuttista nollapistettä korkeampi. ”Ensimmäistä kertaa Georgian teknillinen korkeakoulu ja IBM ovat demonstroineet, että puolen biljoonan syklin sekuntinopeus voidaan saavuttaa piihin perustuvalla tekniikalla käyttämällä suuria kiekkoja ja piiyhteensopivia halpoja valmistustekniikoita”, kommentoi John D. Cressler Georgian teknillisestä korkeakoulusta.
IBM:n käytti valmistuksessa pii-germanium-seosta ja yrityksen tietokonesimulaatioiden perusteella kellotaajuus saattaneen olla mahdollista nostaa lähelle yhtä terahertsiä. Tutkimuksissa käytetyt piirit ovat prototyyppiasteisen neljännen sukupolven SiGe-tekniikan tulosta, jolla piirit on valmistettu IBM:n toimesta 200 millimetrin piikiekolle. SiGe on tekniikka, jossa germanium sekoitetaan piihin, mikä mahdollistaa piirien toiminnan entistä tehokkaammin, tarkoittaen suorituskyvyn kasvamisen ohella alhaisempaa tehonkulutusta. Huomattavan korkeilla kellotaajuuksilla toimivien piirien potentiaalisia käyttökohteita ovat mm. kommunikaatio- ja turvalaitteistot, avaruustutkimus sekä lopulta myös kuluttajatason tuotteet.
DailyTech, IBM and Georgia Tech Push Transistor to 500GHz
