Intel ensimmäisenä 45 nanometriin
Intelin 45 nanometrin valmistustekniikan kehitys on edennyt ensimmäisiin toimiviin näytekappaleisiin. Vuoden 2007 loppupuolella massatuotantolinjoilla käyttöön otettava 45 nanometrin tekniikka alentaa virrankulutusta noin 30 prosenttia ja nopeuttaa transistorien toimintaa noin 20 prosentin verran suhteessa juuri käytöön otettuun 65 nanometrin valmistustekniikkaan. Intel on esitellyt 153 megabitin SRAM-muistipiiriä, jonka ytimen pinta-alan koko on vain 119 neliömillimetriä. Transistorien lukumäärä yhdellä piirillä ylittää miljardin.
Intel ei edelleenkään käytä AMD:n prosessoreista tuttua Silicon-on-Insulator-tekniikkaa (SOI), vaan tyytyy kehittämään 65 nanometrin prosessista tuttua Strained Silicon -tekniikkaa. Intelin lisäksi myös muut suuret piirivalmistajat ovat kehittämässä 45 nanometrin valmistustekniikoita, mutta näytöt eivät toistaiseksi ole olleet yhtä vahvoja kuin Intelillä.
