ITRS: Transistorien kutistumisessa seinä vastaan jo viiden vuoden päästä

International Technology Roadmap for Semiconductors eli tuttavallisemmin ITRS on julkaissut aika ajoin roadmappeja puolijohdevalmistusprosessien kehityksestä lähitulevaisuudessa. Nyt julkaistu roadmap tulee olemaan ITRS:n viimeinen.

ITRS uskoo, että transistorien pienentyminen tulee loppumaan jo viiden vuoden sisään. Vielä vuonna 2013 ITRS uskoi transistorien pienenevän ainakin vuoteen 2028 asti. Kun transistorien kutistuminen loppuu, oli se sitten viiden tai vaikka kymmenen vuoden kuluttua, uskotaan kehityksen siirtyvän entistä enemmän erilaisiin kolmiulotteisiin piirirakenteisiin. Hyvänä esimerkkinä Hexus mainitsee tästä Muropaketinkin uutisoiman BeSangin 3D SuperNAND -teknologian, joka keskittyy nimenomaan parantamaan kolmiulotteisia rakenteita vain päällekkäin ladottujen NAND-solujen pinojen kasvattamisen sijasta.

ITRS:n viimeisin roadmap on myös samalla viimeinen heidän julkaisemansa. Syyksi tähän kerrotaan markkinoiden kutistuminen vain neljään valmistajaan (GlobalFoundries, Intel, Samsung, TSMC), joista kukin julkaisee omat roadmappinsa. Kun ITRS aloitti roadmappien julkaisun, oli markkinoilla vielä 19 kilpailevaa puolijohdevalmistajaa.