Samsung kehitti maailman pienimmän DRAM-muistipiirin
Samsung Electronics kehuu lyöneensä ennätyksiä uudella DRAM-muistipiirillään. Yritys myös päivittää tuotantolinjojaan 10 nanometriin vinhaa vauhtia.
Korealaisjätin mukaan sen 10 nanometrin tekniikalla valmistetut kahdeksan gigabitin DRAM-sirut on suunnattu esimerkiksi pilvipalveluita pyörittäviin datakeskuksiin, mobiililaitteisiin ja nopeisiin näytönohjaimiin. Paitsi suorituskykyä, myös piirien energiatehokkuutta on parannettu.
Suorituskyvyn osalta tehonlisäystä on uudenlaisen valmistustekniikan ansiosta saatu 10 prosenttia ja energiatehokkuutta on saatu kasvatettua 15 prosenttia. Siinä missä edellisen sukupolven DDR4-piirit siirsivät dataa 3200 Mb/s vauhdilla, kiihdyttävät uudet piirit 3600 Mb/s asti.
Samsung on kertonut päivittävänsä suurimman osan DRAM-tuotantolinjoistaan 10 nanometrin tekniikkaan vuoden 2018 aikana. Aggressiivisen muutoksen takana on markkinoiden kasvava tarve tehokkaille muistipiireille, kertoi Samsung Electronicsin muistipuolesta vastaava johtaja Gyoyoung Jin Reutersille.
Valtavaa kysyntäpiikkiä ei kuitenkaan ole luvassa heti vuoden alussa, vaan yrityksen laajennukseen laitetut investoinnit on tehty pitämään Samsung muistipiireissä markkinajohtajana pitkällä tähtäimellä.
